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Efecto Trans
La inactivación de tipo C en los canales de potasio Shaker inhibe la permeabilidad de K+. Los cambios estructurales asociados parecen implicar la región exterior del poro. Recientemente, hemos demostrado que la inactivación de tipo C implica un cambio en la selectividad del canal Shaker, de manera que los canales inactivados de tipo C muestran una activación y desactivación sensible al voltaje de las corrientes de Na+ y Li+ en soluciones libres de K+, aunque no muestran corrientes iónicas medibles en soluciones fisiológicas. Además, parece que el bloqueo efectivo de la conducción iónica producido por la mutación W434F en la región del poro puede estar asociado a la inactivación permanente de tipo C de los canales W434F. Estas conclusiones predicen que los canales W434F permanentemente inactivados de tipo C también mostrarían corrientes de Na+ y Li+ (en soluciones libres de K+) con cinéticas similares a las observadas en los canales Shaker inactivados de tipo C. Este trabajo confirma esa predicción y demuestra que los parámetros de activación y desactivación de este mutante pueden obtenerse a partir de mediciones macroscópicas de la corriente iónica. También mostramos que las prolongadas corrientes de cola de Na+ típicas de los canales inactivados de tipo C implican una prolongación equivalente del retorno de la carga de activación, demostrando así que la cinética del retorno de la carga de activación en los canales W434F puede verse notablemente alterada por cambios en las condiciones iónicas.
Un pistón aislado térmicamente divide a un
Se ha desarrollado una metodología para el análisis de muestras de polvo “no conductor” (óxido) mediante atomización por descarga luminosa-espectrometría de absorción atómica (GDA-AAS). La mezcla de un polvo de óxido con una matriz de cobre (1:9) permite el prensado de una muestra de disco para la atomización por descarga luminosa. Las precisiones entre muestras son del orden del 3-4% para el hierro en una muestra geológica. Se demuestra la capacidad de generar curvas de trabajo analíticas para el análisis del hierro mediante la mezcla de óxidos de Fe (III) y Al (III) en el material de la matriz de cobre. La posible utilidad de la metodología se ilustra con el análisis del hierro en un material geológico de referencia NBS. La capacidad de realizar análisis de estos tipos de muestras sugiere su aplicabilidad a matrices tales como cerámicas, vidrios y catalizadores de base refractaria.
E
Se evalúa el uso de diferentes cátodos secundarios para el análisis de muestras sólidas no conductoras mediante espectrometría de masas de descarga luminosa en corriente continua. Se presentan las condiciones óptimas de descarga y las características analíticas para el análisis de un sinterizado de mineral de hierro compactado y de una muestra de vidrio sólido, ambos de composición conocida. Estas condiciones parecen diferir significativamente para las dos muestras consideradas. Se supone que esta diferencia se debe principalmente a las características eléctricas de la muestra. En efecto, la resistividad eléctrica de la muestra resulta ser un factor importante que determina las capacidades de la técnica, especialmente en lo que se refiere al poder de detección.
Una lámina no conductora de gran superficie y espesor d
Un sustrato no conductor que forma una tira o un panel en el que se forman una pluralidad de elementos portadores que tienen líneas límite respectivas. El sustrato incluye un lado de contacto, un lado de inserción opuesto al lado de contacto, y una metalización conductora del lado de inserción proporcionada en el lado de inserción. La metalización del lado de inserción está formada de tal manera que una conexión eléctrica puede tener lugar por medio de la unión flip-chip entre los puntos de contacto de un circuito integrado que se aplicará al lado de inserción y la metalización del lado de inserción.
1. Un lado de contacto; un lado de inserción opuesto al lado de contacto; y una metalización conductora del lado de inserción proporcionada en el lado de inserción; en el que la metalización del lado de inserción está formada de tal manera que una conexión eléctrica puede tener lugar mediante la unión flip-chip entre los puntos de contacto de un circuito integrado que se aplicará al lado de inserción y la metalización del lado de inserción.
2. El sustrato según la reivindicación 1, que comprende además una pluralidad de elementos de contacto proporcionados en la metalización del lado de inserción dentro de cada línea límite, al menos en parte, para la unión con los contactos flip-chip del circuito integrado.